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635nm/400mW同軸包まれたダイオード レーザー

635nm/400mW同軸包まれたダイオード レーザー

MOQ: 1 /関連キーワード
配達期間: 4 8weeks
支払方法: T/T
供給能力: 100,000 年度
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K635F03RN-0.400W
最小注文数量:
1 /関連キーワード
受渡し時間:
4 8weeks
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000 年度
High Light:

高出力半導体レーザ

,

高出力レーザダイオードモジュール

製品説明
特徴:

635nm波長

400mWの出力電力

105µmファイバーコア径

0.22NA

1040nm-1200nmフィードバック保護


アプリケーション

ファイバーレーザーの照準ビーム

印刷アプリケーション

医療用

科学研究

仕様(25℃) シンボル 単位 K635F03RN-0.400W
最小 典型的な 最大
光学データ CW-出力電力 ポー mW 400 - -
中心波長 - nm 635±10
スペクトル幅(FWHM) - nm - -
波長温度シフト - nm /℃ - 0.2 -
電気データ 電気から光への効率 PE 26日 - -
しきい電流 lth mA - 150 -
動作電流 垂れ下がる mA - - 700
動作電圧 ヴォップ V - - 2.6
スロープ効率 η W / A - 0.71 -

ファイバーデータ

コア径 Dcore μm - 105 -
クラッド径 Dclad μm - 125 -
開口数 NA NA - 0.22 -
ファイバー長 Lf メートル - 1 -
ファイバールースチューブ径 - μm 0.9mm PVC
最小曲げ半径 - んん 50 - -
ファイバー終端 - - FC(APC)/ SC(APC)/ SMA905 / ST
フィードバック分離 後方反射波長 - nm 1040-1200
後方反射絶縁 - dB - 30 -
その他 ESD ヴェス V - - 500
保存温度 Tst -20 - 70
鉛はんだ温度 Tls - - 260
はんだ付け時間 t - - 10
動作ケース温度 15 - 35
相対湿度 RH 15 - 75
製品
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635nm/400mW同軸包まれたダイオード レーザー
MOQ: 1 /関連キーワード
配達期間: 4 8weeks
支払方法: T/T
供給能力: 100,000 年度
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K635F03RN-0.400W
最小注文数量:
1 /関連キーワード
受渡し時間:
4 8weeks
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000 年度
High Light

高出力半導体レーザ

,

高出力レーザダイオードモジュール

製品説明
特徴:

635nm波長

400mWの出力電力

105µmファイバーコア径

0.22NA

1040nm-1200nmフィードバック保護


アプリケーション

ファイバーレーザーの照準ビーム

印刷アプリケーション

医療用

科学研究

仕様(25℃) シンボル 単位 K635F03RN-0.400W
最小 典型的な 最大
光学データ CW-出力電力 ポー mW 400 - -
中心波長 - nm 635±10
スペクトル幅(FWHM) - nm - -
波長温度シフト - nm /℃ - 0.2 -
電気データ 電気から光への効率 PE 26日 - -
しきい電流 lth mA - 150 -
動作電流 垂れ下がる mA - - 700
動作電圧 ヴォップ V - - 2.6
スロープ効率 η W / A - 0.71 -

ファイバーデータ

コア径 Dcore μm - 105 -
クラッド径 Dclad μm - 125 -
開口数 NA NA - 0.22 -
ファイバー長 Lf メートル - 1 -
ファイバールースチューブ径 - μm 0.9mm PVC
最小曲げ半径 - んん 50 - -
ファイバー終端 - - FC(APC)/ SC(APC)/ SMA905 / ST
フィードバック分離 後方反射波長 - nm 1040-1200
後方反射絶縁 - dB - 30 -
その他 ESD ヴェス V - - 500
保存温度 Tst -20 - 70
鉛はんだ温度 Tls - - 260
はんだ付け時間 t - - 10
動作ケース温度 15 - 35
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