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30W取り外し可能な808nmポンプ ダイオードのレーザー モジュールの高い発電

30W取り外し可能な808nmポンプ ダイオードのレーザー モジュールの高い発電

MOQ: 1 /関連キーワード
配達期間: 4 8weeks
支払方法: T/T
供給能力: 100,000 年度
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K808DAECN-30.00W
製品名:
半導体レーザー モジュール
出力電力:
30W
波長:
808nm
ファイバー・バンドルの直径:
400µm
開口数:
0.22N.A
適用:
ソリッド ステート レーザー ポンプ
最小注文数量:
1 /関連キーワード
受渡し時間:
4 8weeks
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000 年度
High Light:

高出力半導体レーザ

,

高出力レーザダイオードモジュール

製品説明

特徴:

808nm波長

出力電力30W

400μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

ソリッド ステート レーザー ポンプ

医学的用途

材料加工

 

指定(25℃) 記号 単位 K808DAECN-30.00W
最低 典型的 最高
光学データ CW出力力 Po W 30 - -
中心の波長 λc nm 808±3
分光幅(FWHM) △λ nm - 3 -
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
電気データ 電気に光学効率 PE % - 45 -
境界の流れ Ith A - 9 10
動作電流 IOP A - 1.8 -
操作電圧 Vop V - - 8
斜面の効率 η W/A - 3 -
繊維データ 棒径 Dcore µm - 400 -
数字開き NA - - 0.22 -
繊維の終了 - - - SMA905 -
フィードバックの分離 - Rt (KのΩ)/β (25℃)   10±3%/3477
ESD Vesd V - - 500
保管温度 Tstg -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
製品
商品の詳細
30W取り外し可能な808nmポンプ ダイオードのレーザー モジュールの高い発電
MOQ: 1 /関連キーワード
配達期間: 4 8weeks
支払方法: T/T
供給能力: 100,000 年度
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K808DAECN-30.00W
製品名:
半導体レーザー モジュール
出力電力:
30W
波長:
808nm
ファイバー・バンドルの直径:
400µm
開口数:
0.22N.A
適用:
ソリッド ステート レーザー ポンプ
最小注文数量:
1 /関連キーワード
受渡し時間:
4 8weeks
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000 年度
High Light

高出力半導体レーザ

,

高出力レーザダイオードモジュール

製品説明

特徴:

808nm波長

出力電力30W

400μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

ソリッド ステート レーザー ポンプ

医学的用途

材料加工

 

指定(25℃) 記号 単位 K808DAECN-30.00W
最低 典型的 最高
光学データ CW出力力 Po W 30 - -
中心の波長 λc nm 808±3
分光幅(FWHM) △λ nm - 3 -
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
電気データ 電気に光学効率 PE % - 45 -
境界の流れ Ith A - 9 10
動作電流 IOP A - 1.8 -
操作電圧 Vop V - - 8
斜面の効率 η W/A - 3 -
繊維データ 棒径 Dcore µm - 400 -
数字開き NA - - 0.22 -
繊維の終了 - - - SMA905 -
フィードバックの分離 - Rt (KのΩ)/β (25℃)   10±3%/3477
ESD Vesd V - - 500
保管温度 Tstg -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
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