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808nm /150Wの高い発電ポンプ半導体レーザー

808nm /150Wの高い発電ポンプ半導体レーザー

    • 808nm /150W High Power Pump Laser Diode
  • 808nm /150W High Power Pump Laser Diode

    商品の詳細:

    起源の場所: 北京、中国(本土)
    ブランド名: BWT
    証明: ISO9001:2015
    モデル番号: K808DN2RN-150.0W

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    詳細製品概要
    製品名: ダイオード レーザー モジュール 出力電力: 150w
    波長: 808nm ファイバー・バンドルの直径: 400µm
    開口数: 0.22N.A
    ハイライト:

    medical diode laser

    ,

    mini laser module

    特徴:

    出力電力150W

    808nm波長

    400μm/0.22NA繊維

     

    適用:

    ソリッド ステート レーザー ポンプ

    医学的用途の

    材料加工

     

    指定(25℃) 記号 単位 K808DN2RN-150.0W
    最低 典型的 最高

    光学データ

     

     

    CW出力力 Po W 150 - -
    中心の波長 λc nm 805 - 811
    境界の流れ Ith A - 1.8  
    動作電流 IOP A - - 11
    操作電圧 Vop V - - 40
    逆電圧 Vre V - 50 -
    斜面の効率 η W/A - 20 -
    電気に光学効率 PE % - 42 -
    分光幅(FWHM) δλ nm - 5 -
    背部反射の波長範囲 λ nm 1040 - 1200
    背部反射の分離 - dB - 30 -
    温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
    流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
    繊維データ 棒径 Dcore µm   400  
    クラッディングの直径 Dclad um - 440 -
    緩衝直径 Dbuf µm - 730 -
    開口数 N.A - - 0.22 -
    繊維の長さ lc m 1.9 2 2.1
    繊維のジャケット - -   1.5mmPVC  
    繊維の曲げ半径 - mm - 140 -
    サーミスター 波長範囲 Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
    ESD Vesd V   - 500
    保管温度 Tstg -20 - 70
    鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
    鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
    作動の場合温度 15 - 35
    相対湿度 RH % 15 - 75

    連絡先の詳細
    BWT Beijing Ltd
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