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ホーム 製品808 nm 半導体レーザ モジュール

808nm-波長のダイオード レーザー モジュール8W

808nm-波長のダイオード レーザー モジュール8W

    • 808nm- Wavelength Diode Laser Module 8W
  • 808nm- Wavelength Diode Laser Module 8W

    商品の詳細:

    起源の場所: 北京、中国(本土)
    ブランド名: BWT
    証明: ISO9001
    モデル番号: K808F14CC-8.000W

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    支払条件: T/T
    供給の能力: 100,000 年度
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    詳細製品概要
    製品名: レーザ ダイオード モジュール 出力パワー: 8ワット
    波長: 808 nm ファイバー・バンドルの直径: 200µm
    開口数: 0.22N.A 応用分野: 医学的用途、材料加工
    ハイライト:

    808nm diode laser

    ,

    high power laser module

     特徴:

    出力電力8W

    808nm波長

    200μm/0.22NAのための標準的な繊維のカップリング

    顧客の選択:

    ビームの見当

    力PD

    サーミスター

    技術

     適用:

    医学的用途

           材料加工

     

     

     

    指定(25℃) 記号 単位 K808F14CC-8.000W
    最低 典型的 最高

    光学データ

     

     

    CW出力力 Po W 8 - -
    境界の流れ Ith A - 1.8  
    動作電流 IOP A - - 11
    操作電圧 Vop V - - 2.2
    逆電圧 Vre V - 2.5 -
    斜面の効率 η W/A - 0.8 -
    電気に光学効率 PE % 40 - -
    中心の波長 ʎc nm 798 - 818
    分光幅(FWHM) δλ nm - 6 -
    温度の波長の転位 - nm/℃ - 0.3 -
    繊維データ 緩衝直径 Dbuf µm - 400 -
    クラッディングの直径 Dclad µm - 220 -
    棒径 Dcore µm - 200 -
    数字開き NA - - 0.22 -
    ESD Vesd V   - 500
    保管温度 Tstg -20 - 70
    鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
    鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
    作動の場合温度 15 - 35
    相対湿度 RH % 15 - 75
    PDデータ 現在 Imo μA 100 - 1000
    サーミスター - Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
    ビーム データの見当 出力電力 Pa MW - 2 -
    波長 la nm 630 - 643
    電圧 VA V - 2.2 -
    現在 la mA - 45 65
    技術的なデータ 最高。現在   A - 6 -
    最高。電圧   V - 9.8 -

    連絡先の詳細
    BWT Beijing Ltd
    私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)

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