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多重エミッターのカップリングとの高い明るさポンプ半導体レーザー 940nm 200μm 0.22NA

多重エミッターのカップリングとの高い明るさポンプ半導体レーザー 940nm 200μm 0.22NA

High Brightness Pump Laser Diode 940nm 200μm 0.22NA With Multi-Emitter Coupling

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: BWT
証明: ISO9001
モデル番号: K940FN1RN-200.0W

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最小注文数量: 1
受渡し時間: 4 8weeks
支払条件: T/T
供給の能力: 200,000/year
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詳細製品概要

特徴:

  • 940nm波長の
  • 200W出力電力
  • 200µm繊維の棒径の
  • 0.22N.A. 
  • 1040nm-1200nmフィードバックの保護


適用:

  • 繊維レーザー ポンプ

指定(25℃)

 

記号

 

単位

 

K940FN1RN-200.0W
最低 典型的 最高
光学データ CW出力力 Po W 200 - -
中心の波長 λc nm 940±10nm
分光幅(FWHM) △λ nm 6
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A A/℃ - 1 -
電気データ 電気に光学効率 PE % - 48 -
境界の流れ lth A - 0.9 -
動作電流 取り除いて下さい A - 13 14
操作電圧 Vop V - 31.5 35
斜面の効率 η W/A - 17.5 -

繊維データ

 

棒径 Dcore μm - 200 -
クラッディングの直径 Dclad μm - 220 -
緩衝直径 Dbuf μm - 320 -
数字開き NA NA - 0.22 -
繊維の長さ Lf m 1.9 2 -
繊維の緩い管の直径 - μm 1mm PTFE /180cm
最低の曲げ半径 - mm 88 - -
繊維の終了 - - - FPT -
フィードバックの分離 背部反射の波長 λ nm 1040-1200
背部反射の分離 - dB - 30 -
ESD Vesd V - - 500
保管温度 Tst -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75

連絡先の詳細
BWT Beijing Ltd

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