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808nm 55Wの高い発電のダイオード レーザー

808nm 55Wの高い発電のダイオード レーザー

MOQ: 1つの部分/部分
支払方法: T/T
供給能力: 100,000/Year
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K808DA5RN-55.00W
最小注文数量:
1つの部分/部分
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000/Year
High Light:

808 nm 半導体レーザ

,

小型レーザー モジュール

製品説明

特徴:

808nm波長

出力電力55W

400μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

ソリッド ステート レーザー ポンプ

医学的用途

材料加工

 

 

 

指定(25℃) 記号 単位 K808DA5RN-55.00W
最低 典型的 最高

光学データ

 

 

CW出力力 Po W 40 - -
中心の波長 λc nm 805 - 811
境界の流れ Ith A - 1.8  
動作電流 IOP A - - 11
操作電圧 Vop V - - 14
逆電圧 Vre V - 17.5 -
斜面の効率 η W/A - 7.4 -
電気に光学効率 PE % - 48 -
分光幅(FWHM) δλ nm - 5 -
背部反射の波長範囲 λ nm 1040 - 1200
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
繊維データ 棒径 Dcore µm   400  
クラッディングの直径 Dclad um - 440 -
緩衝直径 Dbuf µm - 730 -
開口数 N.A - - 0.22 -
繊維の長さ lc m 1.4 1.5 1.6
コネクター - - - SMA905 -
繊維のジャケット - -   3.0mmPVC  
繊維の曲げ半径 - mm - 140 -
サーミスター 波長範囲 Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
ESD Vesd V   - 500
保管温度 Tstg -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
製品
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808nm 55Wの高い発電のダイオード レーザー
MOQ: 1つの部分/部分
支払方法: T/T
供給能力: 100,000/Year
詳細情報
起源の場所
中国
ブランド名
BWT
証明
ISO9001
モデル番号
K808DA5RN-55.00W
最小注文数量:
1つの部分/部分
支払条件:
T/T
供給の能力:
100,000/Year
High Light

808 nm 半導体レーザ

,

小型レーザー モジュール

製品説明

特徴:

808nm波長

出力電力55W

400μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

ソリッド ステート レーザー ポンプ

医学的用途

材料加工

 

 

 

指定(25℃) 記号 単位 K808DA5RN-55.00W
最低 典型的 最高

光学データ

 

 

CW出力力 Po W 40 - -
中心の波長 λc nm 805 - 811
境界の流れ Ith A - 1.8  
動作電流 IOP A - - 11
操作電圧 Vop V - - 14
逆電圧 Vre V - 17.5 -
斜面の効率 η W/A - 7.4 -
電気に光学効率 PE % - 48 -
分光幅(FWHM) δλ nm - 5 -
背部反射の波長範囲 λ nm 1040 - 1200
温度の波長の転位 △λ/△T nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 △λ/△A nm/A - 1 -
繊維データ 棒径 Dcore µm   400  
クラッディングの直径 Dclad um - 440 -
緩衝直径 Dbuf µm - 730 -
開口数 N.A - - 0.22 -
繊維の長さ lc m 1.4 1.5 1.6
コネクター - - - SMA905 -
繊維のジャケット - -   3.0mmPVC  
繊維の曲げ半径 - mm - 140 -
サーミスター 波長範囲 Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
ESD Vesd V   - 500
保管温度 Tstg -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75
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