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ホーム 製品808 nm 半導体レーザ モジュール

808nm 30W繊維の取り外し可能なダイオード レーザー

808nm 30W繊維の取り外し可能なダイオード レーザー

808nm 30W Fiber Detachable Diode Laser

商品の詳細:

起源の場所: 北京、中国(本土)
ブランド名: BWT
証明: ISO9001
モデル番号: K808DAECN-30.00W

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受渡し時間: 4 8weeks
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供給の能力: 100,000 年度
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詳細製品概要
製品名: 高い発電レーザー モジュール 出力パワー: 30ワット
波長: 808 nm ファイバー・バンドルの直径: 400µm
開口数: 0.22N.A 応用分野: ソリッド ステート レーザー ポンプ

808nm 30W 0.22N.A.の高い明るさポンプ高い発電のダイオード レーザー モジュール
 
 

特徴:

808nm波長

出力電力30W

400μm繊維の棒径

0.22 N.A。

 

適用:

ソリッド ステート レーザー ポンプ

医学的用途

材料加工

 

指定(25℃) 記号 単位 K808DAECN-30.00W
最低 典型的 最高

光学データ

 

 

CW出力力 Po W 30 - -
境界の流れ Ith A - 1.8  
動作電流 IOP A - 10 11
操作電圧 Vop V - - 8
逆電圧 Vre V - 10 -
斜面の効率 η W/A - 4 -
電気に光学効率 PE % - 48 -
中心の波長 ʎc nm 805 - 811
分光幅(FWHM) δλ nm - 3 -
温度の波長の転位 - nm/℃ - 0.3 -
流れが付いている波長の転位 - nm/A - 1 -
繊維データ 緩衝直径 Dbuf µm - 730 -
クラッディングの直径 Dclad µm - 440 -
棒径 Dcore µm - 400 -
数字開き NA - - 0.22 -
コネクター - - - SMA905  
サーミスター - Rt (KのΩ)/β (25℃) - 10±3%/3477  -
ESD Vesd V   - 500
保管温度 Tstg -20 - 70
鉛のはんだ付けする臨時雇用者 Tls - - 260
鉛のはんだ付けする時間 t - - 10
作動の場合温度 15 - 35
相対湿度 RH % 15 - 75

連絡先の詳細
BWT Beijing Ltd

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