詳細製品概要
808nm半導体レーザーK81SABC-30.00Wの主要特点:
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出力電力30W
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400μmのdetechable繊維
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0.22NA
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808nm波長
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密集したパッケージ
808nm半導体レーザーK81SABC-30.00Wの選択:
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指定(25℃)
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記号
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単位
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K81SABC-15.00W
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K81SABC-30.00W
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光学データ
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CW出力力
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Po
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W
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15
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30
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中心の波長
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lc
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nm
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808
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許容誤差l
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-
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nm
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±3
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分光幅(FWHM)
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△l
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nm
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<3
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lの温度の漂流
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-
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nm/℃
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~0.3
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コネクターデータ
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繊維の棒径のために設計されている
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WC
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µm
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400
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繊維の開口数のために設計されている
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NA
|
-
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0.22
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繊維のコネクター
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-
|
-
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SMA-905
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電気データ
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操作の流れ
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IOP
|
A
|
9
|
9.5
|
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境界の流れ
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Ith
|
A
|
1.2
|
1.2
|
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変換効率
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η
|
%
|
44
|
40
|
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斜面の効率
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ηD
|
W/A
|
1.9
|
3.6
|
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操作の電圧
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Vop
|
V
|
3.8
|
7.8
|
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逆電圧
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Vre
|
V
|
4
|
8
|
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|
他
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操作の温度
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上
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℃
|
10~30
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保管温度
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Tst
|
℃
|
-20~80
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寿命
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MTTF
|
h
|
>10、000
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次元
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-
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mm
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~44.5×31.8×18.0
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鉛のはんだ付けする温度
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Tis
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℃
|
260 (10秒。)
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